Правительство США предварительно одобрило выделение $150 млн стартапу xLight, разрабатывающему принципиально новый источник EUV-излучения на базе лазера на свободных электронах (FEL). Это может позволить стране обрести контроль над ключевым сегментом глобальной цепочки поставок для производства передовых микросхем.
Hollow Knight: Silksong — песнь страданий и радостей. Рецензия
Обзор смартфона HONOR X9c Smart: прочность со скидкой
Лучший процессор за 20 тысяч рублей — сравнение и тесты
Наушники HUAWEI FreeBuds 6, которые понимают жесты
Обзор планшета HONOR Pad V9: нейросети спешат на помощь
Пять главных фишек камеры HONOR Magic 7 Pro
Репортаж со стенда HONOR на выставке MWC 2025: передовые новинки и стратегические планы на будущее с ИИ
Смартфон HUAWEI Mate 70 Pro как выбор фотографа
Обзор смартфона HUAWEI Pura 80: удобный флагман с «Алисой»
Как сообщает Tom’s Hardware, предварительное одобрение от Министерства торговли США получено в рамках программы, предусмотренной «Законом о чипах и науке» (CHIPS and Science Act). Соглашение оформлено в виде необязательного по юридической силе документа под названием Letter of Intent (LOI), который, тем не менее, свидетельствует о завершении предварительной оценки проекта и намерении сторон двигаться к заключению контракта.
Стартапом xLight руководят генеральный и технический директор Николас Келез (Nicholas Kelez) и исполнительный председатель Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger), ранее занимавший пост гендиректора Intel. Они планируют разместить свою первую FEL-установку в нанотехнологическом комплексе города Олбани (штат Нью-Йорк). Технология компании предусматривает использование ускорителя частиц, который с помощью радиочастотных полей и магнитов разгоняет электроны до высоких скоростей. Далее эти электроны проходят через ондулятор (устройство с периодическим магнитным полем), где генерируют когерентное EUV-излучение с длиной волны 13,5 нм с возможностью масштабирования до 2 нм для мягкого рентгеновского излучения.
В отличие от традиционных источников на основе лазерно-индуцированной плазмы (LPP), применяемых в литографических сканерах ASML, FEL-система исключает стадию плазменного преобразования, что, по утверждению xLight, обеспечивает более высокую яркость, узкую спектральную ширину и фемтосекундные импульсы для более чёткого формирования изображения.
FEL будет размещён в отдельном помещении рядом с фабрикой, не требующим чистоты по стандарту ISO 4 или ISO 5. После генерации EUV-излучения оно передаётся через систему специализированных зеркал скользящего падения с поворотными станциями к нескольким сканерам ASML — до 20 на один блок FEL. Затем этот свет попадает в осветитель сканера, где он формируется и направляется на пластину.
Однако технология пока не доказала ни свою работоспособность, ни промышленную применимость — особенно в условиях необходимости интеграции с дорогостоящими EUV-установками (Low-NA или High-NA). Кроме того, использование инфраструктуры лабораторий Министерства энергетики США (DOE) может привести к ограничению экспорта отдельных компонентов и замедлению глобального внедрения. К тому же администрация Дональда Трампа (Donald Trump) особенно скептически относится к законопроекту Джо Байдена (Joe Biden) о «чипах и науке», утверждая, что это пустая трата денег налогоплательщиков. Тем не менее, правительство США, похоже, изменило своё мнение, пообещав выделить xLight средства.
Помогла ли вам статья?