Продолжающиеся структурные изменения рынка DRAM, вызванные перераспределением производственных мощностей на выпуск высокоскоростной памяти HBM для ускорителей ИИ, уже привели к значительному росту цен на массовую память DDR и LPDDR. Однако худшее ещё впереди, пишет DigiTimes со ссылкой на генерального директора компании TeamGroup.
Смартфон HUAWEI Mate 70 Pro как выбор фотографа
Лучший процессор за 20 тысяч рублей — сравнение и тесты
Репортаж со стенда HONOR на выставке MWC 2025: передовые новинки и стратегические планы на будущее с ИИ
Наушники HUAWEI FreeBuds 6, которые понимают жесты
Hollow Knight: Silksong — песнь страданий и радостей. Рецензия
Пять главных фишек камеры HONOR Magic 7 Pro
Обзор планшета HONOR Pad V9: нейросети спешат на помощь
Обзор смартфона HUAWEI Pura 80: удобный флагман с «Алисой»
Обзор смартфона HONOR X9c Smart: прочность со скидкой
По словам Джерри Чена (Gerry Chen), генерального директора TeamGroup, известного производителя модулей памяти и твердотельных накопителей, контрактные цены на некоторые категории памяти DRAM и 3D NAND в декабре выросли на 80–100 % по сравнению с предыдущим месяцем. Спотовые цены демонстрируют схожую картину. Если 20 сентября средняя спотовая цена 16-гигабитного чипа DDR5 на бирже DRAMeXchange составляла $6,84, то к 19 ноября — уже $24,83. А к 1 декабря средняя спотовая цена на 16-гигабитную микросхему DDR5 выросла до $27,2 (минимум сессии составил $19, максимум — $37). По сути, стоимость только чипов памяти для модуля ОЗУ ёмкостью 16 Гбайт составляет $217,6. Печатная плата, сборка и тестирование, а также дополнительные компоненты, такие как PMIC, добавят $8–10 к стоимости. Таким образом, модуль памяти на 16 Гбайт сейчас стоит $225–228 без учёта премии производителя, логистики и налогов.
Чен ожидает, что доступность DRAM и NAND ухудшится в первом и втором кварталах 2026 года, когда складские запасы чипов памяти будут исчерпаны. Он предупреждает, что к этому моменту получение квот может стать затруднительным независимо от готовности заказчиков платить. По его мнению, облегчение наступит не скоро: текущий дефицит сохранится до конца 2027 года и, возможно, продлится дольше.
Причина дефицита массовой памяти хорошо известна: производители DRAM перераспределяют свои производственные мощности в сторону HBM, которая используется в ускорителях ИИ, таких как Nvidia B300, или в специализированных ускорителях крупных поставщиков облачных услуг, таких как AWS, Google и Microsoft. Эти компании, как правило, резервируют поставки на годы вперёд, поэтому в какой-то момент у производителей DRAM не хватит мощностей для удовлетворения спроса на массовую память.
Строительство нового завода с нуля занимает не менее трёх лет, поэтому даже если такие компании, как Micron, Samsung или SK hynix, примут решение построить завод памяти сегодня, он начнёт работать не раньше конца 2028 года и будет полностью загружен только в 2029-м.
Что касается NAND, то поставщики этой памяти отдают приоритет крупным клиентам, которыми чаще всего оказываются производители ИИ-серверов. Чен не ожидает, что производственные мощности будут переориентированы на выпуск массовой памяти для ПК, смартфонов и других потребительских устройств в 2026 году, что повлияет на цены этих устройств.
Последствия уже очевидны. Потребители наблюдают, как цены на оперативную память для ПК, собранных на заказ, растут чуть ли не в режиме реального времени. В некоторых случаях комплект оперативной памяти общим объёмом 64 Гбайт стоит дороже игровой приставки PS5. Распродажи оперативной памяти в рамках акций «Чёрная пятница» и «Киберпонедельник» на этой неделе могут стать последней возможностью купить оперативную память перед дальнейшим взлётом цен.
Помогла ли вам статья?